求人情報の一部をご紹介しております。求人への応募をご検討いただく際にはより詳細な内容をお伝えいたします。
# 半導体・電子部品
情報確認日2024/5/14
富士電機
パワー半導体デバイス開発＜IGBT、SiC-MOSFET等＞
求人情報
| 年収 | 500万円～900万円 |
|---|---|
| 勤務地 | 長野県松本市筑摩4丁目18番1号 |
| 職務内容 |
■同社の既存／次世代デバイス技術開発に関わる一連の業務（シミュレーション、設計、CAD、プロセスインテグレーション、評価と考察）を担当いただきます。 ※詳細に関しては面接の際にお伝えいたします。 【具体的には】 ■次世代Si-IGBTパワー半導体デバイスの開発 ■次世代SiC-MOSFETパワー半導体デバイスの開発 └T-CAD使ったシミュレーション、試作、追加の機能を載せていく。 【競合と比較した同社の強み】 産業・電装分野でSiパワー半導体の多くの実績を持ち、次世代SiCパワー半導体に置いても、積極的な事業拡大を行っております。 【やりがい・魅力】 ・海外競合との競争が激しい中で、パワー半導体業界トップ級の性能を担うチャレンジングな開発業務を担当できる →同社のなかでも再注力分野の1つのため、潤沢な投資のもと世界トップを目指したチャレンジが可能です。 |
| 必要な経験・資格 |
【必須要件】 ■半導体デバイスに関する設計もしくは評価の経験お持ちの方 ■半導体設計ツール（CAD／CAE）に関する経験 【歓迎要件】 ■プログラミング経験お持ちの方 |
| 雇用条件 |
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| 教育・研修制度 | ビジネスコアリーダー研修、中核技術者研修 他 |
企業情報
| 基本情報 |
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|---|---|
| 事業内容・沿革 | ■電気機器の開発・製造・販売・サービス ＜沿革＞ 1923年 日本の「古河電気工業」と、ドイツの「シーメンス社」との資本・技術提携により設立 1924年 同社川崎工場操業開始 1955年 火力発電事業へ本格的に進出「シーメンス社」と蒸気タービン製造技術の導入契約 1996年 鉄道車両用IGBT主変換装置を受注（世界初の大容量平型IGBT） 2010年 単機容量世界最大140MW地熱発電所運転開始（ニュージランド「ナ・アワ・プルワ地熱発電所」） 2016年 パワエレテクニカルセンター（鈴鹿地区）完成 2010年 離島にマイクログリッドシステムを納入し、実証実験に参加 2012年 国内初、次世代パワー半導体SiC-SBD搭載産業用インバータの開発 2016年 パワエレテクニカルセンター（鈴鹿地区）完成 |
| 企業の特徴 | 【概要・特徴】 東証プライム上場、受変電設備などに強みを持つ総合電機メーカー。電気・熱エネルギー技術をコア技術として、「発電」「パワエレシステム」「電子デバイス」「食品流通」の4つの事業を軸にグローバルに展開しています。 【事業内容】 ・電子デバイス事業：産業機器・自動車や新エネルギー分野に欠かせないパワー半導体をはじめとする電子デバイスを提供。次世代半導体のSiCデバイスを取り入れたパワー半導体の開発を行い、搭載機器の大幅な省エネ、小型化・軽量化を実現しています。 ・発電事業：熱発電タービン御三家の1社である同社は、蒸気タービン・発電機において世界4割のシェアを持ち、世界No.1の納入実績です。スマートグリッドの展開にも積極的に動いており、各地の実証実験などにも積極的に参加しています。その他にも地熱発電・燃料電池・地熱発電・太陽光発電システムなどを提供しています。 【注力分野】 コア技術であるパワー半導体技術とパワーエレクトロニクス技術を計測・制御技術と組み合わせ、エネルギー・環境分野の最適化を実現するソリューションの研究開発に注力しています。また、国内外の研究機関・大学などとのオープンイノベーションを積極的に進め、先端技術や基盤技術の強化などに取り組んでいます。このような取り組みにより、次世代半導体のSiCデバイスや世界最高効率の太陽光発電用PCSやインバータなど、数々の最先端の製品の開発にも成功しています。 |
| 待遇・福利厚生 |
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コンサルタントコメント
大手電機メーカーの中でも発電した電気を「制御する」設備に強みを持つ企業です。元々のパワエレと制御の技術を元に、パワー半導体事業に強みをもっています。日系完成車メーカーはもちろん海外完成車メーカーにも、「品質力」ならびに「機種別のきめ細やかな対応」により入り込みができており、マーケット評価も高い企業です。残業は月約20時間とワークライフバランスも良好です。気になる方はお気軽にお声掛けください。
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