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# 半導体・電子部品
情報確認日2024/5/14
東証プライム上場、世界トップクラスの日系半導体メーカー
SiCパワーデバイス開発エンジニア
求人情報
年収 | 500万円~1000万円 |
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勤務地 | 愛媛県西条市 ■研修時に茨城県ひたちなか市での勤務可能性あり |
職務内容 |
■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■ウェハプロセス開発/インテグレーション 例:構想検討~量産技術確立 ■デバイス構造設計/インテグレーション ■他部門との連携 例:設計部、生産技術部、品質保証部など |
必要な経験・資格 |
【必須要件】下記いずれも必須 ■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験(3年以上) 分野:化合物半導体(GaN、LED用途、高周波用途など)、シリコン半導体(メモリ、CMOSイメージセンサなど) ■ビジネスレベルの英語力 例:顧客とのオンライン会議、メール対応など 【歓迎要件】 ■パワーデバイス(IGBT、パワーMOS(Si,SiC)開発経験 ■半導体物理、半導体材料物性、半導体要素プロセスに関するご知見・ご経験 ■ウェハプロセス試作のご経験 ■TCADシミュレーションスキル ■TEGレイアウトスキル ■デバイス電気特性評価スキル ■海外との共同プロジェクト経験 ■パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 |
雇用条件 |
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教育・研修制度 | 階層別教育、職能研修、国際化教育、ビジネススキル教育、共通教育、自己啓発支援 |
企業情報
事業内容・沿革 | ■各種半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売など |
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企業の特徴 | 【概要・特徴】 東証プライム上場の大手半導体メーカー。 半導体専業メーカーとして研究、設計、開発、製造、販売などを行なっており、世界シェアトップクラスの製品も多く開発しています。 【注力分野】 自動運転や運転支援機能付きの次世代自動車の導入に向けた製品の研究・開発を積極的に行なっています。 そのほか、家電やネットワークインフラ向けなど多くの半導体開発を行なっており、航空機のエンジン制御、人工衛星における通信システムなど幅広い領域で採用されています。 【人材育成】 グローバル競争力の強化を目的として、豊富な研修プログラムで職務能力を支援。 階層別研修や、エンジニア・営業などの機能別研修、海外業務研修・語学研修をはじめとしたグローバル研修など、さまざまな観点でプログラムを用意しています。 |
待遇・福利厚生 |
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コンサルタントコメント
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