磁気抵抗効果
- よみ
- じきていこうこうか
半導体の抵抗率が、外部から与えられた磁界により変化する現象。抵抗変化値$$\Delta R$$と磁束密度$$B$$との関係は次の式で与えられる。
$$\Delta R \propto B^2$$(Bが比較的小さい場合)
$$\Delta R \propto B$$(Bが強磁界の場合)
この抵抗値の変化の割合は素子の形状で大
きく相違する。磁気抵抗素子としては$$\mathrm{InSb}$$
(インジウム・アンチモン)が用いられ、特に
温度の影響が少ないことを要求する場合に
は、$$\mathrm{InAs}$$(インジウム・ひ素)が用いられる。
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