「 磁気抵抗効果 」

　半導体の抵抗率が、外部から与えられた磁界により変化する現象。抵抗変化値$$\Delta R$$と磁束密度$$B$$との関係は次の式で与えられる。

　
　　$$\Delta R \propto B^2$$（Bが比較的小さい場合）

　　　$$\Delta R \propto B$$（Bが強磁界の場合）

　この抵抗値の変化の割合は素子の形状で大
きく相違する。磁気抵抗素子としては$$\mathrm{InSb}$$
（インジウム・アンチモン）が用いられ、特に
温度の影響が少ないことを要求する場合に
は、$$\mathrm{InAs}$$（インジウム・ひ素）が用いられる。